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作者:腾博会登录入口 日期:2018-09-06 11:06

  英飞凌科技股份公司进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。 英飞凌IGBTFF450R17ME4原装现货

  英飞凌工业功率控制事业部总裁PeterWawer博士指出:“碳化硅已达到转折点,考虑到成本效益,它已可用于不同应用。罗兰一级代理原装现货

  针对应用量身定制产品、我们的生产能力、腾博会登录入口。对技术组合和系统的全面了解:这四大优势使我们成为功率半导体市场的领导者。 英飞凌IGBTFZ1800R16KF4报价新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求,这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。依托英飞凌碳化硅产品组合,我们希望并且能够达成这一目标。” 英飞凌可控硅模块现货供应专业分销Infineon(英飞凌)、MITSUBISHI(三菱)、SEMIKRON(西门康)、IXYS(艾赛斯)、FUJI(富士)、DYNEX(丹尼克斯)功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅、三菱PLC、ABB驱动板;专注为开关电源、逆变电源、电力电源、电焊机、变频器、不间断电源、通信电源等能量控制与变换产品提供核心的半导体功率器件。罗兰一级代理原装现货

  全新1200V碳化硅MOSFET已进行优化,具备高可靠性等性能优势。其动态功率损耗要比1200V硅IGBT低一个数量级。首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源(UPS)和充电/储电系统等应用。不久的将来推出的新型号,也将为打造适用于工业变频器、设备或铁路设备辅助电源的革命性解决方案创造条件。

  英飞凌IGBTFF450R17ME4原装现货1200V阻断电压模块的典型应用包括:变频器、太阳能逆变器和不间断电源(UPS),1700V阻断电压模块则适用于中压变频器。

  是实现快速开关器件的理想模块平台。在今年的PCIM展会上,英飞凌将展出基于1200VSiCMOSFET技术的其他模块平台和拓扑。它们将逐步扩大CoolSiCMOSFET的性能范围。英飞凌展出的碳化硅模块包括: 英飞凌IGBTFZ300R12KE3G代理 公司秉承“质量第一,信誉第一;服务于客户,让利于客户”的宗旨,专业分销Infineon(英飞凌)、MITSUBISHI(三菱)、SEMIKRON(西门康)、IXYS(艾赛斯)、FUJI(富士)、DYNEX(丹尼克斯)功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅、三菱PLC、ABB驱动板;

  采用B6(Six-Pack)拓扑的EASY1B:该模块的特点是成熟的英飞凌模块配置,导通电阻(RDS(ON))仅45mΩ。 英飞凌IGBTFP10R12YT3_B4现货 公司秉承“质量第一,信誉第一;服务于客户,让利于客户”的宗旨,专业分销Infineon(英飞凌)、MITSUBISHI(三菱)、SEMIKRON(西门康)、IXYS(艾赛斯)、FUJI(富士)、DYNEX(丹尼克斯)功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅、三菱PLC、ABB驱动板;

  采用半桥拓扑的EASY2B:这个较大的EASY器件,其性能增强,每个开关的RDS(ON)为8mΩ。

  罗兰一级代理原装现货低电感模块概念是功率超过50kW和快速开关应用的理想选择,比如太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源解决方案等。罗兰一级代理原装现货 英飞凌可控硅模块现货供应新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求,这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。

  采用半桥拓扑的62mm:附加的半桥配置,具备大功率,每个开关功能的RDS(ON)为6mΩ。 1200V阻断电压的62mm模块的额定电流最高达到600A,1700V阻断电压模块最高可达500A,这让英飞凌在这个额定电流级别上领先于竞争对手。

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